Page 11 - 助力製造業無痛轉型 智慧工廠教戰守則揭密
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掌握設計要領
前進寬能隙半導體應用新世代
寬能隙元件技術暨未來應用趨勢研討會
2022年3月10日・Taipei
近期引起眾多話題的寬能隙(WBG)元件(亦稱為第三代半導體)——氮化鎵(GaN)、碳 化矽(SiC)等，由於具備高電子遷移率和高功率轉換效率、高擊穿電壓...等特性，因此 相當適用於包括行動通訊設備如5G基地台、電動車、工業4.0、再生能源等對高壓電 源架構需求高的應用。不過，寬能隙半導體雖然具備比矽元件更好的優勢，但其在半 導體製程相關技術，以及應用設計方面難度較高，也導致業者對於這些新興複合材 料所打造的化合物半導體元件有所卻步。Tech Taipe「i 寬能隙元件技術暨未來應用 趨勢研討會」將邀請寬能隙半導體產業中關鍵供應商，深入剖析寬能隙半導體未來 市場應用、製造製程/設備與應用實例，帶領與會者進入寬能隙半導體的世界，並尋 找切入市場的最佳機會。
建議講題
● 詳解寬能隙半導體技術特性
● 5G無線通訊技術、基礎設施、裝置應用中
● 再生能源領域中寬能隙半導體市場趨勢 及設計實例
的寬能隙半導體商機
● 寬能隙半導體如何因應高頻、高壓應用所
● 如何進一步降低寬能隙半導體製造成本 ● 解析未來寬能隙半導體新應用領域
● 寬能隙半導體製造設備關鍵技術研發現
需
● 寬能隙半導體優勢、應用領域及市場發展 況與展望
● 車用SiC/GaN應用領域與系統設計解析
● 寬能隙半導體於衛星通訊領域應用現況
● 各類寬能隙半導體製造要領與設備需求
● 寬能隙半導體應用系統測試須知
● 智慧製造及工業4.0應用中，寬能隙半導
主辦單位:
分析
● 寬能隙半導體相關功率應用設計範例
體商機何在
● 寬能隙半導體如何協助業者扛起環保永
續的新社會責任
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