Page 21 - 碳排法規啟動 電源技術助用電大戶渡難關

INNOVATIONS
Microelectronics，IME)簽署協 議，將雙方在晶片異質整合方面 的合作研究計畫延長五年，目的 是著重於加速在混合鍵合(hybrid bonding)與其他新3D晶片整合技 術的材料、設備和製程技術突破。
合和先進封裝技術的突破，為半 導體設計帶來創新，也加速AI運 算時代來臨。「為了成為『PPACt 推動公司』(PPACt enablement company，(EETT編按:PPACt指 晶片的功率、效能、單位面積成本 與上市時間)，在異質整合與先進封 裝取得突破是應材的重要策略，) 應材資深副總裁暨半導體系統事 業群總經理PrabuRaja表示，期待 藉由雙方的合作協助半導體與運算 產業，加速發展混合鍵合技術以及 推動3D晶片整合技術的創新。」
者在單一晶圓片上設計特定晶片 架構，同時在第二片晶圓上打造另 一種晶片架構;然後再接合這兩片 晶圓組成完整的元件。
應材和IME在2011年就共同 建立了第一個聯合先進封裝卓越 研究中心(Center of Excellence in Advanced Packaging)，該座位於新 加坡的實驗室誕生於雙方在2016年 簽署的第一個五年期合作研究計畫 期間，一開始是聚焦於3D晶片封裝 和扇出式晶圓級封裝技術。
2021年9月，應材宣佈了三項 與加速晶片異質整合製程發展有 關的新技術，包括裸晶對晶圓(die- to-wafer)、晶圓對晶圓(wafer-to- wafer)的混合鍵合，以及先進基 板。應材和IME都宣稱他們的研究 將進一步促進這些技術和新興的 3D晶片整合技術。
應材指出，晶圓對晶圓的混合 鍵合要達到高效能與良率，前段製 程步驟的品質非常重要，兩片晶圓 鍵合時的均勻度和對準度也不容輕 忽;因此該公司與另一家半導體設 備業者益高科技(EVG)簽訂聯合開 發協議，共同為晶圓對晶圓鍵合開 發協同最佳化的解決方案，結合應 材於沉積、平坦化、植入、量測與 檢驗領域的專業能力，以及EVG在 晶圓鍵合、晶圓前置處理與活化， 以及接合對準、疊對量測方面的專 長，以提升良率和性能。
在最新延展的合作研究計畫 中，涵蓋規模達2.1億美元的新增 投資，使總研究支出達到4.6億美 元。新的資金將用以將聯合實驗 室的面積增加3,500平方英呎;此 外IME指出，新階段的合作計畫也 將擴編現有的實驗室，增加20% 的人員。
裸晶對晶圓的混合鍵合能夠 增加I/O密度，並透過銅導線對 銅導線的直接互連，縮短小晶片 (chiplet)之間的線路長度，進而 改善效能、功耗和成本。晶圓對晶 圓的混合鍵合則能讓晶片製造業
在先進基板部分，則是因應 晶片業者在2.5D和3D設計需求， 利用應材收購自Tango Systems 的面板等級基板(panel-level)製 程技術增加封裝尺寸與互連密 度;應材表示，相較於晶圓尺寸基 板，500mm2 或更大尺寸的面板級 基板能封裝更多晶片，因此能在改 善功耗和性能的同時，也進一步降 低成本。
利用混合鍵合技術的IC異質 整合
應材與IME表示，此合作研 究計畫的延展將促進晶片異質整
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應材與IME聯手於新加坡設立的先進封裝卓越研究中心。
(來源:Applied Materials)
2022年02月 | www.eettaiwan.com