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與勁敵別苗頭 三星準備搶先量產GAA製程
Alan Patterson，EE Times特約記者
三星電子(Samsung Electronics) 表示，該公司可按照時程在2022下 半領先全球推出商用環繞式閘極 ( g a t e - a l l - a r o u n d，G A A ) 晶 片 製 程; 此新一代技術號稱可在目前台積電 (TSMC)佔據市場主導地位的5奈米 節點，提供超越現有FinFET製程的 電晶體密度。
十年的成長表現都優於整體半導體 產業。
Suh指出，儘管有與持續性供 應鏈問題以及疫情相關的不確定 性，三星的目標是提高先進節點記 憶體晶片的銷售量，以支援伺服器 與PC應用領域的需求復甦。
「我們將完成第一代GAA製 程3GAE的驗證，預計2022年第一 季量產;」三星晶圓代工業務部門 (Foundry Market Strategy Team) 負責人Moonsoo Kang在日前最新 一季的財報發佈會上表示:「我們 將按照時程繼續研發第二代GAA製 程3GAP。」
2021年三星的資本支出金額規 模為48.2兆韓圜(398億美元)，其中 在半導體業務與平面顯示器業務分 別投資43.6兆韓圜以及2.6兆韓圜。 總計三星2021年晶片業務資本支出 約360億美元，超越台積電同年度 的資本支出300億美元。
台積電也在不久前表示，該公 司預期業績表現將超越整體產業成 長，銷售額可望有超越20%的增加。 市場研究機構IC Insights預測，全球 晶片市場在2020年成長13%，以及 2021年成長26%之後，2022年成長 速度將趨緩來到11%;以該預測為 基礎，全球晶片銷售額將繼2021年 的5,098億美元之後，在2022年達到 創紀錄的5,651億美元。
3GAE與3GAP是三星開發中第 一代與二代GAA製程的代號。GAA 電晶體架構是以閘極360度環繞半 導體元件通道，可持續實現製程微 縮;GAA與FinFET技術皆可實現3D 結構晶片，相較於較舊的平面製程， 能大幅提升電晶體密度。
產品涵蓋晶片到手機的三星電 子未分列其晶圓代工業務與記憶體 產品業務的資本支出，該公司也未 提供2022年資本支出的預估金額。 專注晶圓代工業務的台積電則是於 稍早前表示，該公司2022年度資本 支出預計達440億美元。台積電與 三星都向ASML採購極紫外光(EUV) 微影機台，將之視為在先進製程節 點取得競爭力的關鍵;兩家公司都表 示，高性能運算(HPC)以及5G相關應 用是驅動市場需求的主力。
不過三星目前的5奈米製程量 產技術仍遭遇良率問題，該公司在 財報發布會上對產業分析師表示， 維持初始穩定良率的挑戰已經增 加;但儘管先進製程節點的量產延 遲程度比預期嚴重，三星仍期望將 逐漸穩定。
台積電將按照時程在2022下 半年推出3奈米晶片製程，仍採用 FinFET技術──這是比較「安全」 的選擇，因為現有EDA工具以及矽 智財(IP)都與FinFET相容。而三星 在2021年在GAA技術投入規模創 紀錄的資金，以取得超越對手台積 電的優勢。晶圓代工業務在過去幾
三星晶圓代工業務在2021年的 投資聚焦於5奈米製程技術，是在韓 國平澤市(Pyeongtaek)的晶圓廠以 EUV設備生產。「雖然我們2021年 未實現盈餘，但相信未來將有顯著 的成長;」三星投資者關係發言人 Ben Suh表示:「僅敢如此，整體供 應量的增加仍帶來了創新高紀錄營 收，季獲利略為下降的原因是與先 進製程的成本提升相關。」
三星目前首度為AMD生產4奈 米節點GPU，後者的主要晶圓代工 來源是台積電。而這只是三星與台 積電這兩大晶圓代工廠搶客戶大戰 的案例之一;根據瑞士信貸(Credit Suisse)的最新一篇報告，Nvidia也 正準備把原本採用三星8奈米製程 的GPU升級，轉向採用台積電的5奈 米節點。
www.eettaiwan.com | 2022年3月
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