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INDUSTRY TRENDS
充電器(OBC)和DC/DC轉換器。在 工業領域,SiC零組件則越來越多 被應用於馬達驅動、可再生能源轉 換器與儲存系統,還有電信與資料 中心的電源供應器。
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著眼於SiC在電動車和工業 市 場 的 應 用 潛 力,意 法 半 導 體 (ST)推出了第三代STPOWER SiC MOSFET,同時宣稱其大多數衍生 產品均已具備商用成熟度。ST車 用與離散元件部門副總裁Edoardo Merli表示,該公司的目標是在2024 年達到10億美元的SiC產品營收。
圖1:SiC的高頻性能讓電源系統可採用更小的被動元件。
(來源:ST)
第三代SiC技術的出現意味 著,標稱額定電壓從650V、750V 直到1,200V的SiC元件已經問世, 供設計工程師運用於更廣泛的領 域,從普通的AC線路電壓,到高壓 電動車電池和充電器。ST首批該 類SiC元件包括工作電壓為750V的 功率MOSFET,售價僅5美元。
圖2:新推出的SiC功率堆疊號稱最多能將產品上市時間縮短六個月。 (來源:Microchip)
超越SiC MOSFET
工具套件,快速開發高電壓系統。 借助可配置的數位閘極驅動器,該 參考設計允許工程師選擇從700V 到1,200V之間的電壓,電流高達 750A。
峰值效率達98%,開關頻率則高達 20kHz。Mersen全球戰略行銷副 總裁Philippe Roussel表示,該參 考設計將有助於優化任何一個逆變 器拓撲架構;「SiC能夠將其主要規 格擴展至更高的電壓、電流和開關 頻 率,以 滿 足 運 作 點 需 求。」
SiC MOSFET具有更高的額定 電壓,可應用於功率模組和參考設 計。例如Microchip與電源管理解 決方案供應商Mersen合作,為電 動車和儲能應用提供150kVA的三 相SiC電源堆疊參考設計;該參考 設計在單堆疊參考設計中整合了 Microchip的SiC電源模組、數位閘 極驅動器以及Mersen的匯流排、 保險絲和電容器。
該款AgileSwitch的閘極驅動 器由Microchip的智慧配置工具 (ICT)提供支援,該工具可免費下 載,提供一個允許使用者配置閘極 驅動器參數的介面,例如閘極開關 設定檔、系統關鍵監視器以及控制 器介面設置。
從MOSFET到電源模組,再到 參考設計,SiC元件的廣泛應用, 證明了這種寬能隙技術在電動車 和快充電動車基礎設施等應用中 具 備 的 優 勢。此 外,S i C 所 具 有 的 節 能潛力,也推進該技術在太陽能逆 變器、儲能系統、馬達驅動和電源 供應器等工業領域中的應用。
該電源模組以一款1,200V SiC MOSFET為基礎,與AgileSwitch 的數位閘極驅動器搭配,讓設計工 程師能夠利用為應用預先設計的
圍繞SiC MOSFET構建的參考 設計可提供16kW/l的功率密度,以 及和高達130°C的接面溫度(Tj),
2022年3月 | www.eettaiwan.com