對應近年產業智慧升級浪潮下，電動車、AI資料中心、再生能源與高效率電源系統需求快速成長，功率半導體技術正迎來新一輪的重要轉型。相較於傳統矽基元件，寬能隙（Wide Bandgap, WBG）半導體材料如碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）具備更高耐壓、更高效率與更佳高溫運作特性，正逐步成為新世代電力電子與高效能電源系統的核心關鍵元件。從高效率功率轉換架構、更高頻率與更高功率密度的電源設計、強化系統可靠度與熱管理能力，乃至於支援電動車、能源轉換與高效能運算平台的電力需求，寬能隙功率元件正逐步成為未來各類電子系統與電力設備不可或缺的重要技術基礎。

本研討會將聚焦於寬能隙元件在「功率效率」、「電源設計」與「系統應用」等面向的最新發展，深入探討從SiC與GaN元件技術、功率模組設計到系統整合與應用平台的技術演進。

活動邀請來自功率半導體、電源設計與電力電子相關領域的研究人員、產業代表與技術專家，透過專題演講、技術分享與互動交流，從功率元件、電源架構到系統應用，從技術發展趨勢到實際設計案例，全面介紹寬能隙功率半導體在電動車、資料中心電源、工業設備與能源系統等領域的最新發展與產業關注焦點，並分享實際開發經驗、產業導入情形以及面對的技術挑戰與解決方案。期與國內相關從業者進行更多層次之互動，並透過會間交流時段促進本土業者之間的業務與技術合作機會，期盼有助於建構緊密且高效的功率電子產業交流與合作環境。

(註1:本研討會活動觀眾招募方向: 與寬能隙功率導體元件(包含SiC、GaN等類別)領域密切相關的本土半導體元件業者中，任職的研發工程師與管理層人員。)
(註2:本活動預期觀眾規模: 81~100人。)