台灣東芝電子零組件 (股) 和客戶攜手努力實現低碳經濟，提供種類繁多的高性能、高可靠性的功率電晶體、小信號器件和光耦合器；寬能隙功率半導體充分利用東芝碳化矽 (SiC) 裝置結構的優勢，為高電壓產品帶來了極具吸引力的優勢。 與傳統的矽 (Si) 功率半導體相比，東芝的 SiC MOS/SBD 具有更高的可靠度、在高溫環境下的出色工作、高速開關和低導通電阻…等特性；SiC MOS/SBD 適用於高功率且高效的各類應用，包括工業電源、充電樁、太陽能逆變器和 UPS。