Page 57 - 歷經一番寒徹骨DDR5記憶體主流時代即將來臨？
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TEST & MEASUREMENT
2.2μF 10.17873
22μF 8.63443
100μF 3.75349
7.712895 mΩ
6.755872 mΩ
7.49259 mΩ
55
實部標準 方差
虛部標準 方差
圖9:來自主動電流吸收器的1Hz和10Hz激勵和接收訊號。圖中，CH1為 AD5941W CE0輸出;CH2為激勵電流;CH3為SNS_P輸入訊號;CH4為連接運 放衰減後的訊號。
表1:100mΩ DUT上激勵頻率為0.1Hz時的誤差比較。
圖10:來自100mΩ實部阻抗(N = 10)的返回資料提供了較低頻率時的誤差。
圖11:來自10mΩ實部阻抗(N = 10)的返回資料。
2022年11月 | www.eettaiwan.com
