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2022 WBG—寬能隙元件技術暨未來應用趨勢研討會
活動介紹

近期引起眾多話題的寬能隙(WBG)元件(亦稱為第三代半導體)——氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等,由於具備高電子遷移率和高功率轉換效率、高擊穿電壓…等特性,因此相當適用於包括行動通訊設備如5G基地台、電動車、工業4.0、再生能源等對高壓電源架構需求高的應用。不過,寬能隙半導體雖然具備比矽元件更好的優勢,但其在半導體製程相關技術,以及應用設計方面難度較高,也導致業者對於這些新興複合材料所打造的寬能隙半導體元件有所卻步。Tech Taipei「寬能隙元件技術暨未來應用趨勢研討會」將與共同主辦單位經濟部工業局智慧電子產業計畫推動辦公室(SIPO) 攜手合作,邀請寬能隙半導體產業中關鍵供應商,深入剖析寬能隙半導體未來市場應用、製造製程/設備與應用實例,帶領與會者進入寬能隙半導體的世界,並尋找切入市場的最佳機會。

因應新型冠狀病毒肺炎疫情影響,主辦單位將於活動中落實中央流行疫情指揮中心防疫指示,請與會者務必配合出入會場量體溫與全程配戴口罩。

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