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標準的無線電源解決方案/技術規 格;而以下的幾個產業趨勢將會驅 動未來市場成長與創新:
主流應用，其他應用如可穿戴 裝置、工業──包括物聯網感 測器、無人搬運車(AGV)── 和零售等領域，在未來兩到三 年內預期有大幅成長。 WAWT預期，遠距無線充電 (採用RF和IR技術的解決方案) 市場在2021年將會有不少動
作，包括小米、Motorola、華 為等數家業者都宣佈開發了 RF無線充電解決方案，其他更 多類似的產品可望陸續發表。 未來五年，整體無線電源市 場──包括電力接收(RX)與 發射(TX)裝置──規模，預計 將達到約80億的出貨量。
以出貨量來看，整體無線電源 接收/發射器市場的複合平均年成 長率(CAGR)可達到30%。
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• 儘管智慧型手機、個人家電與 智慧手錶是無線電源的三大
迎接「奈米片」電晶體新時代
Naoto Horiguchi，imec邏輯CMOS製程微縮專案總監
先進積體電路的發展正邁向一個 轉捩點，晶片產業一向不急著發展 能夠大量生產的新型電晶體架構， 因為過程中除了需要龐大投資，勢 必須面對許多新的挑戰。然而，三 星(Samsung)、英特爾(Intel)、台 積電(TSMC)，以及IBM近日相繼公 開發表新架構，顯示出轉變的時機 已經到來。這些公司已經接受，從
圖1:邏輯標準單元示意圖(CPP =閘間距，FP =鰭片間距，MP =金屬間距;Cell Height =每個單元的金 屬線數×MP)。
www.eettaiwan.com | 2021年10月
們將列舉各項類奈米片技術在未來 的CMOS微縮中可以提供的增量效 益，並討論幾項關鍵的製程步驟。
在邏輯CMOS製程的發展歷 程中，半導體產業為了微縮邏輯 標準單元(參考圖1)的尺寸費了很 大的功夫。其中一個縮小標準單 元高度──定義為每單元內金屬 繞線(lines/tracks)的數量乘以金 屬間距(metal pitch)──的方法 是減少繞線。以FinFET來說，逐 漸將每個標準單元內的鰭片(fin) 數量從3個減少到2個，就可以降 低每一代製程的單元高度。
2022或2023年開始，勢必要將主 力架構從FinFET逐漸轉移至類奈 米片(nanosheet)的架構，才能邁 入3奈米或2奈米晶片的世代。
為什麼要從FinFET轉移至 奈米片?
是什麼因素在背後推動這個 歷史性的轉變?本文將為這個問 題提供解答，並介紹不同世代的 奈米片架構類型，包括奈米片、叉 型片(forksheet)，以及CFET。我
3鰭和2鰭分別對應的是7.5T 和6T標準單元;以6T為例，它代表 的意思是在單元高度的範圍內可以 容納6條金屬線。此趨勢最終會達 到 1 鰭，實 現 5 T 標 準 單 元。然 而，這
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