Page 39 - RISC-V創新百花齊放中國MCU業者積極佈局
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INNOVATIONS
SOT與現今的STT MRAM相同，以自旋轉移效應為基礎，但不需要磁性層讓電流自旋極化。自旋源自於
SOT層材料晶格的自旋軌道互動。
(來源:Antaios)
會承受的龐大電壓，使得資料的 保存、寫入耐久性，以及寫入速度 三者往往不可兼得，必須有所權 衡。這意味著即使STT MRAM技 術已經接近成熟，其受到的限制 仍讓它無法滿足高速RAM應用必 須兼具高速寫入、無限耐久性，以 及可接受的資料保存能力之需求。
三難困境，並讓元件在本質上具備 無限耐久性。
成立於2017年的Antaios在 2019年開始加大力道開發採用 SOT的第三代MRAM。Nozières 解釋，SOT是一種自旋電子效應， 可望克服STT-MRAM和前幾代 MRAM技術遭遇的限制，而且不需 要大幅度改變製程。SOT-MRAM 藉由完全免除寫入過程中穿隧氧 化層上的高電壓，解決了MRAM的
「目前的技術限制讓MRAM 只能作為嵌入式快閃記憶體的替 代品，因為遭遇保存性、速度和 耐久性無法兼得的三難困境;」 Nozières表示，克服該限制之後， 開啟了讓MRAM替換各種替換現 有記憶體的可能性，包含前一代 MRAM無法著墨的高速應用快閃 記憶體與SRAM等。
Nozières指出，SOT-MRAM 的另一個固有優勢是免除了資料 保存時的漏電流問題，也不會受 到電離輻射對資料的干擾;兩者 都是SRAM會有的嚴重問題。由於 寫入速度非常高，SOT-MRAM寫
2021年11月 | www.eettaiwan.com
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