Page 43 - RISC-V創新百花齊放中國MCU業者積極佈局

INNOVATIONS
簡化多重圖形
能不足，因此需要進一步材料和後 處理的創新，以控制因功率增加而 攀升的EUV成本。
在DRAM、PCRAM以及某種 程度的3D NAND中為使用主流的 多重圖形，不斷面對來自關鍵尺寸 變化的挑戰。圖形化方案增加了製 程步驟數，而這種增加代表有更大 量的變化源。
過去數年間，Lam Research 在原子層蝕刻(ALE)上的成就已然 證明了克服此挑戰的製程能力。 原子層蝕刻包括在修改表面以及 後續蝕刻期間的自限制步驟。當重 複進行此作業多個週期後，原子層 蝕刻很顯著地平緩了高頻時的粗糙 度特性。
在自校準四重圖形(SAQP)中， 來自微影、沉澱和蝕刻的變化會導 致三種不同的關鍵尺寸。舉例來 說，在間隔層蝕刻期間，可能會有 挖入底層的情況。這類的變化導 致所謂的「間距偏差」，其對多重 圖形化而言已成為重大難題。
在與合作夥伴所進行的測試 中，Lam Research已測量過這項 效應，結果顯示EUV透過56%的局 部關鍵尺寸均勻度(Local critical dimension uniformity，LCDU) 改善可超過3nm變為1.3nm，對 於某些晶片製造商而言，更可能降 低到1nm。
如果，間隔層能在蝕刻過後 成為正方形，就能克服這道難關。 這就是Lam Research利用新金屬 氧化物材料的創新使用而達成的 成果。利用非常微小的挖入，該方 案將SAQP流程從8層簡化為5層。
局部關鍵尺寸均勻度的提 升對上游具有重要的影響:對於 EUV曝光機而言，因為利用Lam Research的蝕刻和沉澱製程，所 以能減輕隨機誘發變化，所以允 許使用較少的能源。這項微影-蝕 刻的偕同優化能藉由兩個成因的 其中之一來降低EUV成本。
使用EUV曝光隨機性的問題
EUV微影被預期很快會成為 邏輯與DRAM的主流，也需要仔細 考量因此製程而來的變化。EUV 微 影使用高能量光子，而製程容易受 到無規則或隨機變化所影響。
現在，Lam Research已經針 對高深寬比結構以及原子層製程 開發出模組級解決方案，以便在記 憶體技術藍圖上處理邊緣放置誤 差。然而，想要沿著技術藍圖自信 前進，儀器供應商、材料供應商和 晶片製造商必須在製程開發的早期 階段即攜手合作，以具成本效益和 時間效益的方式，滿足記憶體技術 藍圖的所有要求。
隨機行為會對孔洞造成局部 關鍵尺寸變化。在線與空間情況 下，來自例如線邊緣粗糙度(Line edge roughness，LER)和線寬度 粗糙度之缺點的影響，是十分嚴 重 的。
例如，隨機效應限制住導孔的 產量，且規模隨著導孔的關鍵尺寸 而不良。即使是一台250W曝光機， 其在小導孔關鍵尺寸處的功率也可
2021年11月 | www.eettaiwan.com
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