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INNOVATIONS
(spectroscopic ellipsometry metrology)等工具來評估。
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MST晶格。
(來源:Atomera)
Mears表示:「我們可以把一 個電晶體看成三個最佳化要點的 一個組合，即速度、面積與功率 密度。透過將MST (薄膜)應用至 一個具有相同元件佔位面積的電 晶體上，我們能實際上從這個元 件取得更多一點驅動電流;」MST 的優勢包括更佳的PPA (power performance area)、更高的速 度、更低的成本，因為電晶體尺寸 能夠縮小至與驅動電流匹配的程 度，且降低功耗──VDD能降低至 與驅動電流匹配。」
MST結合了速度、尺寸和功耗的改善。
(來源:Atomera)
該公司的工程師在開發具備特殊 品質的MST薄膜方面，累積了豐 富的經驗。這種專有磊晶技術能 實現原子大小的磊晶成長和沉積， 量產期間的MST薄膜品質則是利 用像是光譜式橢圓偏光儀度量法
為了將MST整合到晶片製造 流程中，Atomera開發了兩種方 法。第一種MST1方法是透過含有 豐富氧氣的分層薄膜打造空白晶圓 片，該晶圓片就能在IC製程的一部 份進行處理;這種整合方法很直接 但缺乏彈性，因為必須被應用於一 片晶圓上的所有元件，每個元件都 得重新最佳化。此MST1方法適合 低溫深溝槽(Dt)製程，例如FinFET
特性與元件特徵，例如擴散阻擋 (diffusion blocking)、變異性、遷 移性、閘極洩漏和可靠性。
根據Atomera的說法，由於 MST是透過磊晶成長實現，該技術 是由各大磊晶工具供應商支持;而
速度、面積和功率密度的組 合，能針對特定應用需求搭配混 合。MST能夠透過降低洩漏電流 來減少功耗，同時提升性能。在較 小尺寸的製程節點上，因應日益提 升之閘極漏電流對晶片工程師而言 是最棘手的任務之一;在第三方測 試期間，MST透過防止在垂直方向 上不必要的電晶體電流，讓閘極漏 電流減少了超過60%。另一個降低 功耗的選項，則是利用性能優勢來 換取較低電壓。
2022年3月 | www.eettaiwan.com