Page 40 - 軟體定義汽車時代變的何止是車
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新創公司證明S-MOS單元概念 可提升SiC MOSFET效率
Maurizio Di Paolo Emilio，EE Times歐洲特派記者
一家總部位於瑞士的新創公司 mqSemi，發表了適合以金屬氧 化物半導體(MOS)為基礎之功率 元件的S-MOS (Singular Point Source MOS)單元概念。該S-MOS 概念已經透過Silvaco的Victory
www.eettaiwan.com | 2022年3月
Process與Victory Device軟體工 具3D-TCAD模擬，被應用於實現一 款1,200V的碳化矽(SiC) MOSFET 元件;該公司亦釋出一組完整的動 態和靜態結果，比較了S-MOS與採 用平面和溝槽式MOS單元的2D結
構SiC MOSFET參考設計。 像是功率MOSFET與IGBT等 以矽材料基礎的功率元件性能， 在過去幾年來透過MOS單元製程 和設計平台的使用，已獲得大幅度 的提升。這兩種元件不是以平面就
(本文由Smith提供)
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