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圖1:MOS單元概念。
在以矽材料為基礎之MOS元 件上所達成的結果，也可以用於開 發SiC功率MOSFET，而達到所容 納之單元的高密度是基本要求。為 了改善元件的靜態與動態特性，在 過去幾年來，先進的3D設計概念已 經被提出;這些3D結構與低電壓 FinFET單元結構類似，其中多維 (multi-dimensional)通道寬度的 安排，是為了在提高單元密度的同 時降低導通電阻RDS(ON)。
勢之一，是能採用已經廣為人知的 矽元件設計原則與製程方法，包 括垂直蕭特基二極體(Schottky diodes)或垂直功率MOSFET (在 透過JEFT與BJT做為替代的拓撲 結構的特定轉移)。如此一來，許多 確保矽元件長期穩定性的製程就可 能應用於SiC上。
(來源:mqSemi)
域──以及可在更高溫度與開關 頻率下運作。
mqSemi所開發的S-MOS單 元概念，正符合3D結構的趨勢; 該公司由Munaf Rahimo和Iulian Nistor共同創辦，成立的目的是為 了開發先進的功率半導體概念，以 因應電動車、車用電子以及可再生 能源等領域之新一代電力電子系 統應用需求。
是以溝槽式MOS單元為基礎，採用 蜂巢式或線性佈局設計。
以SiC作為功率元件材料的優 www.eettaiwan.com | 2022年3月
不過，更徹底的檢驗結果顯 示，比起以矽為基礎的元件，以 SiC為基礎的元件需要額外且獨特 的可靠性測試，因為該種材料具備 特殊性質與缺陷、更大的能隙、更 高的電場──特別在接面末端區
過去兩年來，mqSemi已經 申請超過20項專利，並進行大量
S-MOS單元概念
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