Page 9 - 軟體定義汽車時代變的何止是車

圖7:(a)晶片正面與背面光學影像與X-Ray影像，(b)晶片經過delayer後顯示4個晶粒，(c)FIB在晶片的 下刀位置之光學影像與TEM分析位置。
封面特寫
圖8(a)為NAND經過FIB處理 後的截面TEM影像，經過計算得知 為136 gate layers，堆疊層數增加 可以提升3D NAND快閃記憶體儲 存容量。如何保持結構的穩定性也 是製程上的挑戰，例如替代層堆疊 (模組層)、WL階梯最佳化、垂直通 道孔HAR蝕刻和ALD層製程、ONO 切割、犧牲層去除、替換閘極填 充、CSL溝槽輪廓、晶片翹曲和相 關製程均勻性等等。
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產生立體角散射成像，適合用於觀 察樣品的精細結構。
圖8:(a)NAND的TEM圖，(b)及(c) NAND string不同倍率的TEM圖，(d)NAND string的元素EDS成像 圖，清晰顯現NAND string通道多晶矽環的交替沉積氧化物與氮化物薄膜結構。
EDS能量色散X射線譜(Energy Dispersive X-ray Spectroscopy) 在半導體結構與故障分析的領域 中，因其使用的便利性一直扮演著 非常重要的角色，在結構組成或缺 陷來源的層別上往往都離不開EDS 元素分析的功能。閎康科技新購入 的EDS detector是架設在TEM上， 其無窗式的設計使輕元素的偵測 效能有顯著的提升，超大面積的構 造則為偵測效率帶來加分的效果， 尤其在元素的濃度層別上具有優異 的辨別能力(圖8(d))。
用需求，3D NAND快閃記憶體需 要持續創新製程架構，才能達到 5G、AR/VR和AI等新興應用對於 資料儲存的龐大需求。在圖7(a) 範例中的晶片的型號為Samsung- KLUDG4UHDC-B0E1-128GB， 從X-Ray影像可看出裡面有四個 晶粒，將晶片經過delayer處理 後，就可直接觀察晶粒外觀(圖7 (b))。聚焦離子束顯微鏡(Focus
Ion Beam Microscope，FIB)利 用質量比電子大上許多的鎵(Ga) 或是氙(Xe)離子，在試片上特定位 置，以轟擊(bombardment)或噴 濺(sputtering)進行選擇性研磨 (selective milling)，達到定點加 工和切割試片的目的，因此可以做 到奈米等級的精確定位與切割，以 及TEM試樣薄片製作。TEM則是將 高能量電子束投射到超薄樣品上，
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(本文由閎康科技提供)
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