Page 27 - MCU大廠分享10億級出貨秘訣

INDUSTRY TRENDS
英特爾位於美國奧勒岡州Ronler Acres的Gordon Moore Park。
(來源:Intel)
「那些開創性的製程創新都 起源於奧勒岡州據點，隨著我們 D1X廠房的最新擴展，該據點已 經做好提供下一代領先技術的準 備;」英特爾技術開發部門總經理 Ann Kelleher表示:「半導體是美 國技術領先地位、經濟和供應鏈彈 性的基礎，而英特爾是世界上唯一 在美國擁有大部分製程和封裝研 發以及大量尖端半導體元件生產 的 公 司。」
該團隊約有1萬名員工，主要駐在 Hillsboro當地。
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這個團隊面臨的一個關鍵挑 戰，是將晶片上的功能微縮到原子 大小。奧勒岡州晶圓廠以高介電質 金屬閘極(high-k metal gate)技 術、三閘極(tri-gate) 3D電晶體 和應變矽(strained silicon)等創 新技術而備受肯定，而所有這些都 是跟上摩爾定律的基礎。
英特爾的RibbonFET技術。
致力於持續推進摩爾定律;」 Gelsinger在一份新聞聲明中表 示:「這個全新廠房空間將強化我 們提供加速製程技術藍圖的能力， 以支援我們大膽的IDM 2.0 策略。 奧勒岡州長期以來是我們全球半 導體研發的核心重地。」
(來源:英特爾)
該據點是英特爾全球技術開 發部門的總部，負責透過打造全 新電晶體架構、晶圓製程和封裝 技術來推進摩爾定律，鞏固該公 司的產品技術藍圖。奧勒岡州廠 房預期能為從PC、雲端基礎建設 到5G網路等應用提供基礎技術;
那些創新技術包括英特爾 的環繞式閘極RibbonFET，即 一種全新的3D電晶體架構;此 外還有一種晶背電力傳輸技術 PowerVia，以及高數值孔徑(NA) 的極紫外光(EUV)微影。
英特爾在2021年宣佈了雄心 勃勃的製程技術藍圖，目標是超越 其競爭對手台積電(TSMC)和三星 (Samsung)，重新取得領導地位。 英特爾期望加速創新的步伐以及 每年一年的進步節奏，在2025年 之後能將創新技術運用於新產品。
藉由這筆規模達30億美元擴 充D1X據點的投資，英特爾工程師 將擁有額外的27萬平方英呎(EETT
2022年6月 | www.eettaiwan.com