Page 40 - MCU大廠分享10億級出貨秘訣

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現形式，會與利用簡單電路符號繪 製的圖形符號大不相同。使用精 密SLA以及該技術能支援的材料， 為生產客製化、少量，甚至較高產 量的獨特高頻主/被動元件開闢了 一條新途徑。
SiC實現小體積、高功率密度電源元件
Maurizio Di Paolo Emilio，EE Times歐洲特派記者
約達32%。 如果讀者不熟悉以蕭特基二
所 示。 當然，對於GHz頻率範圍的設
極體作為倍頻器，這種方法是一 種常見技術，即利用非線性元件 ──在這裡就是一個二極體── 以基頻波型驅動產生諧波，如圖4
計來說，簡單的電路圖只能提示在 實際打造倍頻器時會需要什麼，因 為那些精緻的、離散的、整合的元 件，在GHz頻率下實際運作時的表
美國業者Apex Microtechnology 開發出一系列整合了碳化矽(SiC) MOSFET技術的元件，號稱在性能 與功率密度方面都有所提升。
電源應用。 此外SiC元件能在高於矽元件
現前所未見之高功率密度的機會。 相較於矽材料，SiC具備許多 優勢，例如在同樣溫度和電流水準 下，後者的導通電阻較低;低RDS(on) 會帶來較佳的電流對電壓性能和較 低的開關損耗。儘管SiC的成本高 於矽材料，但是較低的熱負載、更 簡單的散熱以及更高的可靠度，彌
電源應用正轉向更小佔位面 積、更高效率的解決方案;為提高 功率密度，讓元件能夠放進更小的 封裝裡，SiC是用來取代矽材料電 源離散元件和模組的理想候選技 術。因 為 它 們 擁 有 較 佳 的 特 性，S i C MOSFET被廣泛用於需要高開關 頻率、高電壓、高電流與高效率的
可承受的接面溫度下運作，這得前 者能實現更好的散熱管理，而這也 是另一個在縮小晶片尺寸時可利 用的優勢。
以矽為基礎的高功率離散元 件和模組，通常需要以大體積散 熱片為基礎的冷卻解決方案，這影 響了整體解決方案的尺寸。另一方 面，SiC能在不需要為散熱管理妥協 的前提下，提供以更小佔位面積實
補了此一缺點。 以上述考量為出發點，為一系
列工業、測試與量測、醫療、航太、 半導體設備與軍事等應用提供單片 式、混合及開放性架構類比電源解 決方案的供應商Apex，利用SiC的 特性開發出數款新產品，包括整合 了閘極驅動器的半橋式開關模組 SA110，以及同樣整合閘極驅動器 的三相電源開關模組SA310。
圖1:SA310KR的方塊圖。
www.eettaiwan.com | 2022年6月
(來源:Apex Microtechnology)
適當的設計能有效地突顯SiC 的所有特性;Apex在設計高功率 元件時謹慎地考量了寄生效應(會 超過導通電阻)，以及走線(trace)電 感和電阻。圖1顯示Apex SA310KR 元件的方塊圖，那是一款以SiC為
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