Page 52 - 第三代半導體—— 碳化矽材料製程與分析

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測試設定
元件
值
V1
0V~1,000V
C1
1.2mF
SiC電源模組(FF23MR12W1M1_B11)
1,200V、23mΩ
L1
38μH
用於報告測試的完整設定如 圖2所示。在電源模組兩端提供高 壓直流輸入電源(V1)。在輸入端增 加1.2mF、去耦箔電容組(C1)，輸 出級為38μH電感(L1)，在去飽和 保護測試過程中可將其連接至電 源模組的高邊或低側，表1總結了 測試設定功率元件。
表1:測試設定功率元件。
圖4中所示的GDU接收來自 脈衝波產生器的開關訊號。這些 訊號傳送至死區時間產生電路， 由LT1720超快、雙通道比較器 來實現，比較器的輸出饋入兩個 ADuM4136元件。閘極驅動器向 閘極端發送隔離訊號，並從電源 模組中的兩個SiC MOSFET的汲 極端接收隔離訊號，閘極驅動器 的輸出級由推挽式轉換器提供隔 離電源，該轉換器使用了由外部 5V直流電源供電的DC/DC驅動 器。SiC模組的溫度測量使用了 ADuM4190高精準度隔離放大器， 由低壓差(LDO)線性穩壓器供電。
表2:測試設定裝置。
圖4:GDU訊號鏈。
動器的訊號鏈上測量死區時間，其 電阻電容(RC)濾波器和超快比較 由GDU PWM_B訊號的(有效低位 器產生。圖5至圖8顯示傳輸延遲 準)輸入激發。死區時間透過使用 測試的結果，表3描述了圖5至圖
設備
製造廠商
產品型號
示波器
Rohde & Schwarz
HMO3004，500MHz
直流電源
Komerci
QJE3005EIII
閘極驅動單元(GDU)
Stercom
SC18025.1
脈衝波產生器
IB Billmann
PMG02A
數位萬用表(DMM)
FLUKE
Fluke 175
高壓差分探針
Testec
TT-SI 9010
AC Rogowski電流探針
PEM
CWT mini
圖3展示了實驗連接設定，表 2描述了去飽和保護測試中使用 的設備。
測試結果
死區時間和傳輸延遲
硬體死區時間由GDU導入，以 避免半橋電源模組中出現短路， 這在打開或關閉高邊和低側SiC MOSFET時可能會發生(圖4)。請 注意，延遲的PWM_B訊號在本文 中表示為PWM_B_D。
在傳輸延遲測試中，在底部驅 www.eettaiwan.com | 2022年7月
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