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圖4:TEM下的共同整合叉型與奈米片FET影像。針對叉型n-和p-FET，在17nm n-p空間下整合了一個 雙功函數金屬閘極。
圖5:從FinFET到CFET的電晶體結構演進過程。
構是「基本」奈米片架構自然演化 的結果，兩者的主要差異在於介 電質牆的形成、經過改良的內隔 離層、源極/汲極磊晶以及替換金 屬閘極步驟。在2021年度的VLSI 大會上，imec首次發表成功利用 12吋晶圓叉型片製程整合的叉型 片場效元件電氣數據(參考圖4)。 雙功函數金屬閘極可以在n-和p- EET之間以17nm的間距整合，突 顯了叉型片架構的主要優勢。
結構很大程度地改善了通道的靜 電控制。叉型片的三閘架構在這 方面似乎是走了退步，儘管如此， 在上述實驗中，imec仍在22nm 閘極長度找到了一個短通道控制 (SSSAT = 66-68mV)，成效可比 擬同一片晶圓上共同整合的垂直 堆疊環繞式閘極奈米片元件。
源效率的潛能。 從製程的角度來看，叉型片架
然而還有一個與靜電相關的 顧慮。奈米片架構的環繞式閘極
要實現最大的有效通道寬 度，最終的方案是互補式FET (Complementary FET，CFET) 架構，參考圖5。CFET架構將n-和
奈米片技術的最後一塊拼 圖:CFET
2021年10月 | www.eettaiwan.com