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圖1:效率測試中採用的元件。
圖2:四種電子開關的接線圖。
VDS:650V、Rds(on): 0.009Ω、VGS:20V、Id:120A、 P:789W、Tj:175°C
對IGBT而言:
對SiC FET而言:
模擬 圖2顯示了採用不同電子元件
MOSFET，要使其導通，需要足夠 的VGS電壓。第三部分採用IGBT， 而第四部分採用SiC MOSFET。為 了確定各部分的實際效率，所有 能量產生器產生的功率都必須包 括在公式中，因此，得到如下四個 公 式。
對矽MOSFET而言:
四種電路的效率分別如下: • 電晶體:96.54%
• 矽MOSFET:99.51%
• IGBT:98.68%
• SiC MOSFET:99.93%
的四種應用方案。它們是四個等效 的電子開關，可以使半導體元件達 到飽和狀態，以驅動相當穩健的負 載。其一般特性涉及負載的靜態操 作，具 體 如 下:
對電晶體而言:
觀察每個元件在完全運作狀 態下的功耗，會發現:
• 電源電壓:80V
• 阻性負載:15Ω
• 預期電流:約5.3A
• 電晶體:3.7W
• 矽MOSFET:2.1W
• IGBT:5.5W
• SiC MOSFET:僅0.3W
圖2所示的接線圖由四個不同 的部分組成，第一部分採用矽功率 電晶體，其基極必須適當極化，以 使集電極上的電流等於基極電流 乘以放大係數(β)，因此，基極是 被電流驅動的。第二部分採用矽
集電極-發射極或汲極-源極通 道的等效電阻計算公式為:
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• 電晶體:116.4mΩ
• 矽MOSFET:74.6mΩ • IGBT:200.5mΩ
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