Page 2 - 實現系統級效能、功耗與面積的3D-IC小晶片設計
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寬能隙元件技術暨未來 應用趨勢 線上研討會
2022年5月26日・TechTaipeiOnline
近期引起眾多話題的寬能隙(WBG)元件
(亦稱為第三代半導體)——氮化鎵 (GaN)、碳化矽(SiC)等，由於具備高電 子遷移率和高功率轉換效率、高擊穿電壓...等特性，因此 相當適用於包括行動通訊設備如5G基地台、電動車、工業4.0、再生能源 等對高壓電源架構需求高的應用。不過，寬能隙半導體雖然具備比矽元 件更好的優勢，但其在半導體製程相關技術，以及應用設計方面難度較 高，也導致業者對於這些新興複合材料所打造的寬能隙半導體元件有所卻 步。Tech Taipei「寬能隙元件技術暨未來應用趨勢線上研討會」將邀請 寬能隙半導體產業中關鍵供應商，深入剖析寬能隙半導體未來市場應用、 製造製程/設備與應用實例，帶領與會者進入寬能隙半導體的世界，並尋 找切入市場的最佳機會。
建議講題
● 詳解寬能隙半導體技術特性
● 5G無線通訊技術、基礎設施、裝置應用中的寬能隙半導體商機 ● 寬能隙半導體如何因應高頻、高壓應用所需
● 寬能隙半導體優勢、應用領域及市場發展
● 車用SiC/GaN應用領域與系統設計解析
● 寬能隙半導體於衛星通訊領域應用現況
● 各類寬能隙半導體製造要領與設備需求分析
● 寬能隙半導體相關功率應用設計範例
● 再生能源領域中寬能隙半導體市場趨勢及設計實例
● 如何進一步降低寬能隙半導體製造成本
● 解析未來寬能隙半導體新應用領域
● 寬能隙半導體製造設備關鍵技術研發現況與展望
● 寬能隙半導體應用系統測試須知
● 智慧製造及工業4.0應用中，寬能隙半導體商機何在
● 寬能隙半導體如何協助業者扛起環保永續的新社會責任
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