Page 41 - 實現系統級效能、功耗與面積的3D-IC小晶片設計

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用電量，可以被用以得出約當二氧 化碳排放量。當然，那些排放是 根據用於發電的來源;在這項工作 中，假設那些發電來源是固定的， 但隨著晶圓廠從石化燃料為基礎 的發電轉向可再生能源，節點之間 的每片電力碳足跡成長需要抵銷。 因此imec團隊進行了數種敏感度 分析，以根據輸入變量的變化來判 別目標指標如何受到影響。
設定的目標。 擴展的DTCO框架也能用以設
未來計畫
一個例子是對NF3溫室氣體減 排減排因子(abatement factor) 的評估，假設為95%;這意味著 有95%用於晶圓廠內的NF3氣體 被燃燒或轉換，以防止其進入環 境。但透過將減排因子改為99% (如最新的減排設備所宣稱的)，整 體溫室氣體將會保持在接近2015 年國際半導體技術藍圖(ITRS)所
但在另一方面，相較於 193奈米微影結合複雜的多重 圖形技術，像是自對準四重圖 形(self-aligned quadrupole patterning，SAQP)，EUV單次圖 形顯著減少製程步驟。新框架顯 示，在進行關鍵後段製程金屬線 的圖形化步驟時，EUV需要達到每 小時110片晶圓的目標處理量，能 源使用量才會與SAQP方法相當。
imec團隊也計劃採用擴展 的DTCO框架來評估其他技術的 PPACE指標，包括非揮發性與揮發 性記憶體。此外，該框架也能被逐 漸擴展至系統層級──透過納入 與封裝、3D IC、印刷電路板(PCB) 與整體系統相關的指標。
定目標，協助業者做出更環保的製 造技術選擇。舉EUV微影為例，在 一方面，EUV工具的耗電高於193 奈米微影工具，但EUV設備的處 理量(以每小時可處理的晶圓片數 來表示)也比193奈米微影工具低， 擴大了能耗包絡曲線。
要 取 得 完 整 的「 環 境 圖 」 (environmental picture)，原材 料提取與精煉的影響也應該要被 納入DTCO框架中;而首度朝著這 個方向進行的研究行動也已經展 開。在這種情況下，imec研究團 隊也將檢視在製程中採用新材料 的影響，特別是那些被列為關鍵 材料的項目。對材料而言，可以考 慮使用回收材料，或是改善製程設 備以最小化材料使用量。
Smith力促亞太區 員工和設施發展並改善流程
Smith供稿
近期《電子工程專輯》(EE Times)專訪了Smith新任的董事總經理陳卓鏗(Claudio Chan)。Claudio是 在2013年，入職Smith休斯頓總部，擔任PPV項目分析師。1年後派駐香港，晉升數職。2018年和2020 年，Claudio分別擔任了深圳和班加羅爾辦事處總經理。現在，作為新任中國區董事總經理，他將協助領 導制定中國區的業務增長策略，以及全力支持深圳、上海、北京及班加羅爾的辦事處再創佳績。從2021 年初到2022年初，深圳的交易團隊規模倍增，Claudio相當期待，能夠在新的崗位上繼續推動業務成長。
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2022年4月 | www.eettaiwan.com