Page 40 - 實現系統級效能、功耗與面積的3D-IC小晶片設計
P. 40
38
圖中顯示不同技術節點的用電量，在前、中、後段製程都有增加;耗電的 從應用於不同製程節點生產流程中的溫室氣體來評估約當二氧化碳排放 計算是以設備的實際平均耗電量乘以設備時間。 (來源:imec) 量。 (來源:imec)
圖中顯示EUV對製程複雜性(左)與用電量(右)帶來的影響。在每小時110片晶圓的處理量下，EUV總能耗接近採用193奈米氟化氬(ArFi)微影的四重圖形(SAQP)
方法。圖中的SADP代表自對準雙重圖形(self-aligned double patterning)，LE代表微影蝕刻(litho etch)。
(來源:imec)
元件。該框架也能用來評估其他 的技術微縮場景，但應該要結合 所選技術的預測功能與性能來進 行評估。
可增加兩倍以上。溫室氣體排放量 的增加趨勢也很類似，像是氟化物 氣體──主要用於乾式蝕刻、清潔 化學氣相沉積(CVD)的腔室，以及 磊晶生長期間。
這增加了整體的二氧化碳當量 (CO2 equivalent)──這是一個 能以地球暖化潛力為基礎比較不 同溫室氣體排放量的指標。
在那些最可能導致地球暖化 的氟化物氣體中，又以六氟化硫 (SF6)、三氟化氮(NF3)為主要貢獻 者;隨著製程演進，CVD步驟增 加，意味著NF3的使用量也更大。
當然，對於5奈米以下節點， 晶圓廠的技術選擇仍存在不確定 性。在我們的計算中，是假設EUV 微影在後段製程導入，並加入像 是埋入電源軌等微縮加速器，以 及從2奈米節點轉向奈米片結構
兩個特定案例:NF3減排與 EUV處理量
www.eettaiwan.com | 2022年4月
此任務中所做的一些假設可 能在不同晶圓廠之間有很大的不 同;舉例來說，從這種分析所得的
INNOVATIONS
